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PSMN8R5-108ESQ

更新时间:2025-05-19 04:49:24
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PSMN8R5-108ESQ 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    停产
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    108 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    100A（Tj）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    8.5 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    111 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    5512 pF @ 50 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    263W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    I2PAK
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
芯知识
5.0万
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广东微尔科技有限公司
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