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PT1302B/C2

更新时间:2025-05-18 05:26:18
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PT1302B/C2 规格参数
  • 制造商
    Everlight
  • 产品种类
    Phototransistors
  • 最大功率耗散
    75 mW
  • 最大暗电流
    100 nA
  • 封装 / 箱体
    T-1 3/4
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    30 V
  • 下降时间
    15 us
  • 最大工作温度
    + 85 C
  • 最小工作温度
    - 25 C
  • 封装
    Bulk
  • 上升时间
    15 us
  • 工厂包装数量
    500
  • 类型
    Chip
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