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PT202MR0MP1

更新时间:2025-07-04 11:29:50
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PT202MR0MP1 规格参数
  • 制造商
    Sharp Microelectronics
  • 产品种类
    Phototransistors
  • 最大功率耗散
    5 mW
  • 最大暗电流
    100 nA
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    5 V
  • 下降时间
    25 us
  • 最大工作温度
    + 85 C
  • 最小工作温度
    - 30 C
  • 上升时间
    25 us
  • 工厂包装数量
    4000
  • 类型
    Phototransistor
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