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PDTA114EE,115

更新时间:2025-06-28 05:10:35

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
PDTA114EE,115
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

我要上特价
PDTA114EE,115
今日特价
展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市金嘉锐电子有限公司
PDTA114EE,115
12000
NXP
SOT4163/2025+
原装有货

标准国际（香港）有限公司
PDTA114EE,115
100000
PHA
SOT416/2013+
公司现货只做原装

深圳市硅宇电子有限公司
PDTA114EE,115
15988
NXP Semiconductors(恩智浦)
DPAK/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳华航微科技有限公司
PDTA114EE,115
8900
NXP SEMI
-/10+
保证全新原装

深圳市英德州科技有限公司
PDTA114EE,115
15600
恩智浦
SOT416 (SC75)/23+
主营NXP,全系列可供应

现代芯城（深圳）科技有限公司
PDTA114EE,115-NXP
62000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

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PDTA114EE,115外观图

PDTA114EE,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

TRANS PNP 50V 100MA SOT416

封装:SC-75，SOT-416

PDTA114EE,115 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
10k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
30 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
150mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
1µA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
150mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-75，SOT-416
供应商设备封装
SC-75
包装
带卷 (TR)
其它名称
934051530115PDTA114EE T/RPDTA114EE T/R-ND

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