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PDZ6.8B,115

更新时间:2025-05-16 14:12:35
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PDZ6.8B,115外观图

PDZ6.8B,115

NXP Semiconductors 单二极管/齐纳

DIODE ZENER 6.8V 400MW SOD323

  • 封装:SC-76，SOD-323
PDZ6.8B,115 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    单二极管/齐纳
  • 系列
    -
  • 电压 - 齐纳（标称）(Vz)
    6.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
    1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电
    500nA @ 3.5V
  • 容差
    ±2%
  • 功率 - 最大
    400mW
  • 阻抗（最大）(Zzt)
    40 欧姆
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-76，SOD-323
  • 供应商设备封装
    SOD-323
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 工作温度
    -65°C ~ 150°C
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