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PHB66NQ03LT,118

更新时间:2025-05-20 08:16:14

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NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 25V 66A SOT404

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

PHB66NQ03LT,118 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
66A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
860pF @ 25V
功率 - 最大
93W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
Digi-Reel?
其它名称
568-5945-6

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