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PHD16N03LT,118

更新时间:2025-05-30 06:07:02

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

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PHD16N03LT,118外观图

PHD16N03LT,118

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 30V 16A SOT428

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

PHD16N03LT,118 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
67 毫欧 @ 16A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
210pF @ 30V
功率 - 最大
32.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
934057927118PHD16N03LT /T3PHD16N03LT /T3-ND

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