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PHD38N02LT,118

更新时间:2025-05-28 19:09:21

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深圳市星宇佳科技有限公司
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NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

PHD38N02LT,118 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
44.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫欧 @ 25A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 20V
功率 - 最大
57.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
934057587118PHD38N02LT /T3PHD38N02LT /T3-ND

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