IGBT模块是*的第四代功率模块，工作频率1-20KHZ，主要应用在变频器的主回路逆变器及*逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代*其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET，双*型达林顿管等,目今功率可*1MW的低频应用中，单个元件电压可达4.0KV（PT结构）— 6.5KV（NPT结构），电流可达1.5KA，是较为理想的功率模块。
        追其原因是第三代IGBT模块，它是电压型控制，输入阻*大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双*型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因*的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20KHZ），这两点*显著的特性。       

    IGBT模块发展趋向是高耐压、大电流、*度、低压降、高*、*为目标的，*是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，**性，降*造成本，简化调试工作等，都与IGBT有密切的内在联系，所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发，予估近2-3年内，会有*性的进展。目今已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT，IG*，电流型SG*等。

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