全硅温补振荡器SIT5001参数：

频率范围（MHz）：1--80MHZ

工作频率稳定性（PPM）：±2.5、±5

工作电压（V）：1.8V、2.5V、2.8V、3.3V

温度范围（°C）： -20 to +70、-40 to +85

封装（mm）：3.2 x 2.5, 5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0 mm

SiTime的可控电压的温度补偿振荡器（VCTCXO）可提供1--220MHz的频率输出，精度可达到±1ppm,牵引范围从±12至50PPM。是用于电信，网络，无线和嵌入式应用的灵活和可靠的理想解决方案。SITIME振荡器的引脚与传统的石英TCXO振荡器完全兼容，无须更改PCB设计或布局，直接替代。

SIT5001特性：

性能提升25倍，成本下降10%;

100%直接替代石英，可直接在电路板上焊接；

半导体工艺，半导体质量， 无温漂、永不停振！

1-80MHZ任一频点可编程，到小数点后六位；

任一频点，均可提供7050、5032、3225封装；

贴片晶振的主要参数

总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的偏差。总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。

频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是的，程度不同而已。一个晶振的输出频率随时间变化的曲线。曲线中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳。

开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间（如5 分钟）的频率到开机后另一段时间（如1 小时）的频率的变化率。表示了晶振达到稳定的速度。这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用。

频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，因此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的变化率（如±10ppb/天，加电72 小时后），或规定的时限内的总频率变化（如：±1ppm/（前列年）和±5ppm/（十年））来表示。

短稳：短期稳定度，观察的时间为1 毫秒、10 毫秒、100 毫秒、1 秒、10 秒。晶振的输出频率受到内部电路的影响（晶体的Q 值、元器件的噪音、电路的稳定性、工作状态等）而产生频谱很宽的不稳定。测量一连串的频率值后，用阿伦方程计算。相位噪音也同样可以反映短稳的情况（要有专用仪器测量）。

重现性：定义：晶振经长时间工作稳定后关机，停机一段时间t1（如24 小时），开机一段时间t2（如4 小时），测得频率f1,再停机同一段时间t1,再开机同一段时间t2,测得频率f2.重现性=（f2-f1）/f2.

频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的峰值改变量。

频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。

我公司产品通过维库现货，请放心购买：

 

 

 有问必答：

 

1、一旦量产，交货周期是否会出现问题？

 

答：由于采用芯片工艺，原厂每1个8寸Wafer可以切出5万只晶振，可想而知。您的用量相对于我们的WAFER量，实在是小的。

 

2、我用的频率比较偏，是否可以提供？

 

答： 没有问题，因为我们的晶振是可编程，任意频点都可以满足。

 

3、MEMS硅晶振目前能够提供什么样的产品？

 

答：MEMS硅晶振目前可提供，普通四脚单端振荡器、压控振荡器、差分振荡器、温补振荡器、低功耗振荡器、时钟发生器等所有时钟组件产品。

 

4、MEMS硅晶振与石英晶振在使用方面有什么区别吗？

 

答：MEMS硅晶振与石英晶振是PIN TO PIN的封装，在使用上没有任何区别，无需任何设计更改，可直接替换。

 

5、MEMS硅晶振现在应用在哪些行业？

 

答：SiTime 公司的MEMS硅晶振现在大量应用在通讯、消费、工业、网通、安防等所有电子行业，拥有包括：Apple、Motorola、SONY、Panasonic、Foxconn（富士康）、三菱在内的数万家客户。

 

 

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