二*管的概述:

　　二*管又称晶体二*管,简称二*管(diode)，另外，还有早期的真空电子二*管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二*管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二*管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于*时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二*管特性。

　　二*管的特性:

　　二*管（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电*的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二*管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。 　　大部分二*管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二*管*普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二*管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二*管并不会表现出如此*的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征--这是由特定类型的二*管技术决定的。二*管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。 　　早期的二*管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今*普遍的二*管大多是使用半导体材料如硅或锗。

　　二*管的工作原理:

　　晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在*反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到*程度时，pn结空间电荷层中的电场强度*临界值产生载流子的*过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二*管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

　　二*管的类型：

　　二*管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二*管（Ge管）和硅二*管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二*管、整流二*管、稳压二*管、开关二*管、隔离二*管、肖特基二*管、发光二*管、硅功率开关二*管、旋转二*管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二*管、面接触型二*管及平面型二*管。点接触型二*管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不*过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二*管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二*管是一种*的硅二*管，它不*能通过较大的电流，而且性能稳定*，多用于开关、脉冲及高频电路中。

　　部分常用二*管参数：

　　下列为比较经常用到的二*管参数

　　05Z6.2Y 硅稳压二*管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,

　　05Z7.5Y 硅稳压二*管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,

　　05Z13X 硅稳压二*管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,

　　05Z15Y 硅稳压二*管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,

　　05Z18Y 硅稳压二*管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,

　　1N4001 硅整流二*管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)

　　1N4002 硅整流二*管 100V, 1A,

　　1N4003 硅整流二*管 200V, 1A,

　　1N4004 硅整流二*管 400V, 1A,

　　1N4005 硅整流二*管 600V, 1A,

　　1N4006 硅整流二*管 800V, 1A,

　　1N4007 硅整流二*管 1000V, 1A,

　　1N4148 二*管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,

　　1N5391 硅整流二*管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392 硅整流二*管 100V,1.5A,

　　1N5393 硅整流二*管 200V,1.5A,

　　1N5394 硅整流二*管 300V,1.5A,

　　1N5395 硅整流二*管 400V,1.5A,

　　1N5396 硅整流二*管 500V,1.5A,

　　1N5397 硅整流二*管 600V,1.5A,

　　1N5398 硅整流二*管 800V,1.5A,

　　1N5399 硅整流二*管 1000V,1.5A,

　　1N5400 硅整流二*管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)

　　1N5401 硅整流二*管 100V,3A,

　　1N5402 硅整流二*管 200V,3A,

　　1N5403 硅整流二*管 300V,3A,

　　1N5404 硅整流二*管 400V,3A,

　　1N5405 硅整流二*管 500V,3A,

　　1N5406 硅整流二*管 600V,3A,

　　1N5407 硅整流二*管 800V,3A,

　　1N5408 硅整流二*管 1000V,3A

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