福斯特FIR12N60F规格：

　　种类：绝缘栅（MOSFET）

　　沟道类型：N沟道

　　导电方式：增强型

　　材料：N-FET硅N沟道

　　封装外形：P-DIT/塑料双列直插

　　用途：D/变频换流

　　开启电压：600（V）

　　夹断电压：600（V）

　　跨导：6（μS）

　　极间电容：10（pF）

　　低频噪声系数：10（dB）

　　漏极电流：10（mA）

　　耗散功率：1（mW）

　　什么是场效应管

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　场效应管基本特点

　　场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：

　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID;

　　（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。

　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

　　（5）场效应管的抗辐射能力强；

　　（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

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