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QS8M51TR

更新时间:2025-05-16 02:53:52
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QS8M51TR 规格参数
  • 现有数量
    37,395现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    2A，1.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    325 毫欧 @ 2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    4.7nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    290pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    1.5W
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装
    TSMT8
QS8M51TR Datasheet数据手册 PDF下载
芯知识
3.0万
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广东微尔科技有限公司
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