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RDN100N20FU6

更新时间:2025-05-23 21:57:28
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RDN100N20FU6外观图

RDN100N20FU6

ROHM Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

  • 封装:TO-220-3 整包
RDN100N20FU6 规格参数
  • 特色产品
    ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装
    500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    360 毫欧 @ 5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    543pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    35W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
    TO-220FN
  • 包装
    散装
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