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RFD16N05LSM_NL

更新时间:2025-05-19 20:55:35

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RFD16N05LSM_NL 概述

RFD16N05LSM_NL是由ROHM公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面结构工艺制造，具有低导通电阻特性，在栅源电压为4.5V时典型导通电阻仅为0.058Ω。它被广泛应用于各种需要高效电力传输和控制的场景中，例如直流电机驱动、负载开关等。在实际应用方面，由于其低导通电阻特性，非常适合用于电池供电设备中以减少能量损耗。当用作直流电机驱动时，需注意根据实际工作电流选择合适的散热措施，避免因过热导致器件损坏。若作为负载开关使用，要确保栅极驱动电路能够提供足够的电压来充分开启MOSFET，使其处于低阻状态以降低功耗。

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