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RQ3E080BNTB

更新时间:2025-05-06 11:02:35
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RQ3E080BNTB的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

RQ3E080BNTB外观图

  • 现有数量：41,389现货
  • 价格：1 : ￥4.13000剪切带（CT）3,000 : ￥1.18448卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15.2 毫欧 @ 8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：660 pF @ 15 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-HSMT（3.2x3）
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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