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SH8M12TB1

更新时间:2025-07-08 08:05:15
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SH8M12TB1 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    5A，4.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    42 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    4nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    250pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    2W
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装
    8-SOP
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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