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SI1539CDL-T1-GE3

更新时间:2025-07-07 01:15:53
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SI1539CDL-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    +/- 30 V
  • 闸/源击穿电压
    20 V
  • 漏极连续电流
    0.7 A, - 0.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.323 Ohms, 0.388 Ohms
  • 配置
    Dual
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SC-70-6
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    15 ns, 10 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    1.2 S, 0.6 S
  • 栅极电荷 Qg
    1 nC
  • 功率耗散
    0.34 Watts
  • 上升时间
    25 ns, 19 ns
  • 典型关闭延迟时间
    14 ns, 4 ns
  • 零件号别名
    SI1539CDL-GE3
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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