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SI3430DV-T1-E3

更新时间:2025-06-27 04:23:07
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SI3430DV-T1-E3 规格参数
  • 数据列表
    SI3430DV
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    170 毫欧 @ 2.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    1.14W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
  • 供应商设备封装
    6-TSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    SI3430DV-T1-E3TR
SI3430DV-T1-E3 Datasheet数据手册 PDF下载
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