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SI3443BDV-T1-E3

更新时间:2024-04-20 02:15:56
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SI3443BDV-T1-E3外观图

  • 大小：113.3KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述： MOSFET, P, TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:3443; Current Id Max:-3.6A; Package / Case:TSOP; Power Dissipation Pd:1.1W; Pulse Current Idm:20A; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Output Current Max:1.1A
  • 数据列表：SI3443BDV
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 4.7A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
  • 供应商设备封装：6-TSOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI3443BDV-T1-E3TR
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