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SI4114G-B-GM

更新时间:2025-05-20 19:14:29

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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原厂原装现货

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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市馨轩电子科技有限公司
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SI4114G-B-GM 概述

SI4114G-B-GM是由Vishay公司生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源和其他高效能电源管理系统。其最大漏源电压（VDS）为-40V，连续漏极电流（ID）可达-30A，适用于紧凑型设计需求。典型应用场景包括同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制以及负载切换等需要高效能MOSFET的场合。由于其优化的栅极电荷和低RDS(on)，可以显著降低开关损耗，提高系统效率。在实际应用中，建议根据具体电路要求选择合适的栅极驱动电阻，并注意散热设计以确保长期稳定工作。例如，在设计DC-DC转换器时，合理布局PCB走线，减少寄生电感对开关性能的影响。

SI4114G-B-GM 规格参数

标准包装
60
类别
集成电路 (IC)
家庭
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器
系列
-
类型
频率合成器
PLL
是
输入
时钟
输出
时钟
电路数
1
比率 - 输入:输出
1:1
差分 - 输入:输出
无/无
频率 - 最大
1.99GHz
除法器/乘法器
是/无
电源电压
2.7 V ~ 2.9 V
工作温度
-20°C ~ 70°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
28-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装
28-QFN（5x5）
包装
管件

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广东微尔科技有限公司

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