Vishay推出采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET
...、提供8V~30V VDS的功率MOSFET,扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件,以及具有业内最低导通电阻的20VMOSFET。 已经发布的Siliconix SIB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET,也采用PowerPAK SC-75占位的封装,30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入进一步壮大了该产品系列。SiB408DK在10V时的导通电阻只有40mΩ,SiB412DK在4....