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SIHU3N50D-GE3

更新时间:2025-07-06 14:10:53
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SIHU3N50D-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    500 V
  • 闸/源击穿电压
    30 V
  • 漏极连续电流
    3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    3.2 Ohms
  • 配置
    Single
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-251
  • 封装
    Bulk
  • 下降时间
    13 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    1 S
  • 栅极电荷 Qg
    6 nC
  • 功率耗散
    104 W
  • 上升时间
    9 ns
  • 零件号别名
    SIHU3N50D-E3
芯知识
5.4万
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广东微尔科技有限公司
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