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SIS478DN-T1-GE3

更新时间:2025-04-25 12:21:21
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SIS478DN-T1-GE3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SIS478DN-T1-GE3外观图

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 漏极连续电流：12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.016 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAK 1212-8
  • 封装：Reel
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：20 S
  • 栅极电荷 Qg：7 nC
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：15.6 W
  • 零件号别名：SIS478DN-GE3
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