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SSI10N60BTU

更新时间:2025-06-13 00:42:58

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
SSI10N60BTU
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

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SSI10N60BTU 规格参数

制造商
Fairchild Semiconductor
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
600 V
闸/源击穿电压
+/- 30 V
漏极连续电流
9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.8 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
I2PAK
封装
Tube
下降时间
115 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
3.13 W
上升时间
100 ns
工厂包装数量
50
典型关闭延迟时间
185 ns

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