其它信息：

组织结构为512K×8；读、写操作电压2.7～3.6V；高可靠性，保证100000次读/写，数据保持100年；低功耗操作，动态电流：5mA(典型值)，待机电流：1μA(典型值)；扇垦擦除操作功能：均匀的4KB扇区；快速读取时间：70ns；锁存地址和数据；快速擦除操作和字节编程时间，扇区擦除操作时间：18ms(典型值)，芯片擦除操作时间：70ms(典型值)；字节编程时间：14μs(典型值)，芯片重写时间：8s；自动调节写操作时间；写操作完成监测：Toggle位，Data＃轮询；兼容CMOS I/O；符合JEDEC标准；所有无铅装置遵从RoHS标准
引脚图：

SST39VF040 相关信息

LED图文显示屏控制系统的设计方案

...码，显示的数据信息和字库。可采用查表的方式调用需要显示的汉字和英文点阵数据。用64K字节的存储空间存储16×16点阵的汉字，可以显示2048个，512K的Flash可满足常用字不同字体的存储需求。SST39VF040的地址线有19位，单片机用P1口来扩充高三位地址线。系统中单片机，SRAM,Flash要求313V供电，而系统接入电源为5V,可通过LM1117-3.3为芯片提供3.3V稳压电源。低压差电源芯片LM1117输...
浅谈嵌入式网络视频服务器的设计

...缝连接。GPCM提供与EPROM，SRAM，FLASH以及其他的外设的无缝连接，UPM则常常用于SDRAM以及猝发式SRAM的控制与连接。Flash存储器是一种电可擦除、可重写的存储设备。Bootrom Flash采用512Kbyte的SST39VF040。Bootrom主要作用是引导及初始化CPU，以及引导单板程序。BSP在嵌入式系统和Windows系统中的不同其实运行与PC机上的windows或linux系统也是有BSP的。只是PC机均采用统一的X86体系架构...
让单片机运行速度更快一些

...部地址/数据总线32位)以及DS80C32(25MHz，外部地址/数据总线8位)；使用的SDRAM有HY57系列、K416系列(访问速度100MHz或133MHz)；使用的SRAM 如IDT71024、IDT7256(50MHz)；使用的Flash有AT29C512、SST39VF040、AT29C010(8MHz或15MHz)等。可见，SDRAM，SRAM的速度和单片机是匹配的，甚至比单片机的速度更快一点，不需要单片机插入等待状态。而Flash的访问频率则比单片机慢2~6倍，单片机往往要...
TMS320C6711中心定位实时图像处理系统研究

...OM 是现场可擦除、掉电后可保持数据的存储器，用来固化程序和保存掉电后需要保存的数据；双口RAM用来存储一帧图像数据；SDRAM运行速度快，用来存放实时运行程序和临时数据。本系统Flash ROM采用SST39VF040，且配置在CE1空间。双口RAM采用IDT70V28，且配置在CE2空间。选用HY57V653220作为SDRAM，配置在CE0空间，这样的配置与引导方式相配合。 1.6 输出电路系统根据输入的图像，由C6711进...
TMS320C6711的FLASH引导装载系统研究与设计

摘要：引导装载是DSP系统设计中必不可少的重要环节。文章对TI公司TMS320C6711中FLASH引导装载的概念、方法及特点做了详细阐述，同时以SST公司的FLASH器（SST39VF040）为例，设计了一个利用FLASH进行引导装载的系统方案，并给出相应的自加载程序源代码。关键词：数字信号处理器 FLASH存储器引导装载 TMS320C67111 概述在一些脱机运行的DSP系统中，用户代码需要在加电后自动装载运行。DSP...

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