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STL8DN10LF3

更新时间:2025-06-13 23:40:54
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STL8DN10LF3外观图

STL8DN10LF3

STMicroelectronics FET - 阵列

MOSFET N CH 100V 20A 5X6

  • 封装:8-PowerVDFN
STL8DN10LF3 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    STripFET™ III
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    20A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    35 毫欧 @ 4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    20.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    970pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    70W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装
    PowerFlat?（5x6）
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    497-13168-6
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广东微尔科技有限公司
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