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STU8N65M5

更新时间:2025-05-21 23:28:12

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STU8N65M5

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

封装:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

STU8N65M5 概述

STU8N65M5是意法半导体生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh M5技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。其最大漏源电压为650V，连续漏极电流可达8A，非常适合于开关电源、适配器、LED驱动器及工业控制设备等应用场合。在电路设计中，建议使用适当的栅极电阻来控制开关速度，以减少EMI干扰并优化效率。由于其高击穿电压和良好的热稳定性，也适合用于高压半桥和全桥拓扑结构。在实际应用中，需注意PCB布局以确保良好的散热性能，并尽量缩短源极引线长度以降低寄生电感。

STU8N65M5 规格参数

其它有关文件
STU8N65M5 View All Specifications
标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
600 毫欧 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
690pF @ 100V
功率 - 最大
70W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装
I-Pak
包装
管件
其它名称
497-11365-5

芯产品

1.2万

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广东微尔科技有限公司

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