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STW21NM60N

更新时间:2025-05-18 04:54:59

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深圳市诚研翔科技有限公司
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STW21NM60N

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 600V 17A TO-247

封装:TO-247-3

STW21NM60N 概述

STW21NM60N是由意法半导体生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。其最大漏源电压为600V，适合在高压环境下使用。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、电机驱动、开关电源以及工业自动化设备中的功率转换电路。在实际应用中，设计者应注意栅极驱动电路的设计，确保提供足够的驱动电压以实现最低的导通电阻。此外，由于其较高的耐压能力，在进行PCB布局时需特别注意保持适当的电气间隙和爬电距离以保证安全性。对于热管理方面，推荐使用合适的散热器来确保器件在高功率运行下的稳定性。

STW21NM60N 规格参数

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
17A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
220 毫欧 @ 8.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
66nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1900pF @ 50V
功率 - 最大
140W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247-3
包装
管件
其它名称
497-5024-5

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