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SP8M10FU6TB

更新时间:2025-05-19 02:20:36
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SP8M10FU6TB外观图

SP8M10FU6TB

ROHM Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SP8M10FU6TB 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    7A，4.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    24 毫欧 @ 7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    11.8nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    600pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOICN
  • 包装
    带卷 (TR)
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