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STU10NM60N

更新时间:2025-05-22 19:52:00

供应商
产品型号
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封装/批号
说明
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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原装现货，支持BOM配单

深圳市硅诺电子科技有限公司
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45000
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原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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深圳市科鑫美电子有限公司
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原装现货，实单支持

深圳市粤东诚信电子有限公司
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一级代理，原厂排单到货，可开原型号13%专用发票

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蓝界科技（深圳）有限公司
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STU10NM60N外观图

STU10NM60N

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 600V 10A IPAK

封装:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

STU10NM60N 概述

STU10NM60N是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高电压和大电流的应用场景。其最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适合于高压开关电源、不间断电源系统及电机驱动等应用场合。在电路设计中，这款MOSFET常用于需要高效快速开关的功率转换电路。由于其低导通电阻特性，在导通状态下可以减少能量损耗，提高整体效率。使用时需注意栅极驱动电压的选择，确保可靠开启和关闭MOSFET。建议在栅极串联一个小电阻以抑制振荡，并且在源极和栅极之间并联一个齐纳二极管来保护栅极免受过压损坏。在实际应用中，应根据具体需求进行散热设计，以保证器件长期稳定工作。

STU10NM60N 规格参数

其它有关文件
STU10NM60N View All Specifications
标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
550 毫欧 @ 4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
540pF @ 50V
功率 - 最大
70W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装
I-Pak
包装
管件
其它名称
497-12692-5STU10NM60N-ND

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