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1N4007

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更新时间:2024-05-20 10:57:03
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1N4007 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IO=1A/IFSM=30A/IR=10μA
    电压参数:URRM=URWM=UR=1000V/URSM=1200V/UF=1.1V/UR(RMS)=700V
    功  率:PD=3W
    备  注:整流二极管

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  • 大小:147.3KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:AXIAL LEADED RECTIFIER DIODES VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V CURRENT: 1.0 A 1N4001 - 1N4007 1 of 2 Case: DO-41 High Current Capability ! Diffused Junction ! Low Forward Voltage Drop ! ! High Reliability ! High Surge Current Capability ! ! Terminals: Plated Leads Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ! Polarity: Cathode Band ! Weight: 0.35 grams (approx.) ! Mounting Position: Any ! Marking: Type Number Characteristic Symbol 1N 4001 1N 4002 1N 4003 1N 4004 1N 4005 1N 4006 1N 4007 Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage VRRM VRWM VR 50 100 200 400 600 800 1000 V RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V Average Rectified Output Current (Note 1) @T A = 75°C IO 1.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) IFSM 30 A Forward Voltage @I F = 1.0A VFM 1.0 V Peak Reverse Current @T A = 25°C At
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):1000V(1kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.1V @ 1A
  • 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:10µA @ 1000V
  • 电容@ Vr, F:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装:DO-41
  • 包装:散装
1N4007 相关信息
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