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TC58FVM7B5BTG65相关技术应用
电源电压：VDD＝2.7～3.6V；工作环境温度TA＝- 40～85℃；8M×16位结构；功能：同时读/写、页面阅读、自动程序、自动页面程序、自动块擦除、自动芯片擦除、快速程序模式/加速度模式、计划暂停/恢复、擦除暂停/恢复、数据触发位、密码块保护、块保护/开机块保护、自动睡眠、支持隐藏ROM区、共同的CFI；块擦除架构：8×8KB/255×64KB；组件架构：8M×16Bank；模块控制：兼容JEDEC的标准指令；擦除/程序周期：105周期(典型值)；访问时间(随机/页)：当CL＝30pF时为65ns/25ns，当CL＝100pF时为70ns/30ns；页面长度：8字；功率消耗：待机模式下为10μA、程序/擦除操作模式下为15mA、页读操作模式下为5mA、随机读操作模式下为55mA、地址增量读操作模式下为15mA；封装：56引脚的TSOP封装和80引脚的TFBGA封装；电源电压为3V；启动块架构：底端启动区块
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TC58FVM7B5BTG65引脚图
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