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TC58FVM7B5BTG65

更新时间:2024-04-23 22:11:13
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  • 其它信息:

    电源电压:VDD=2.7~3.6V;工作环境温度TA=- 40~85℃;8M×16位结构;功能:同时读/写、页面阅读、自动程序、自动页面程序、自动块擦除、自动芯片擦除、快速程序模式/加速度模式、计划暂停/恢复、擦除暂停/恢复、数据触发位、密码块保护、块保护/开机块保护、自动睡眠、支持隐藏ROM区、共同的CFI;块擦除架构:8×8KB/255×64KB;组件架构:8M×16Bank;模块控制:兼容JEDEC的标准指令;擦除/程序周期:105周期(典型值);访问时间(随机/页):当CL=30pF时为65ns/25ns,当CL=100pF时为70ns/30ns;页面长度:8字;功率消耗:待机模式下为10μA、程序/擦除操作模式下为15mA、页读操作模式下为5mA、随机读操作模式下为55mA、地址增量读操作模式下为15mA;封装:56引脚的TSOP封装和80引脚的TFBGA封装;电源电压为3V;启动块架构:底端启动区块

  • 引脚图:

    TC58FVM7B5BTG65引脚图

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