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TEMT1040

更新时间:2025-05-18 14:58:02
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TEMT1040 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    Phototransistors
  • 最大功率耗散
    100 mW
  • 最大暗电流
    200 nA
  • 封装 / 箱体
    SMT-2
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    70 V
  • 集电极—射极饱和电压
    0.3 V
  • 下降时间
    2.3 us
  • 最大工作温度
    + 85 C
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 封装
    Bulk
  • 产品
    Phototransistor
  • 上升时间
    2 us
  • 工厂包装数量
    1000
  • 类型
    IR Chip
  • 波长
    880 nm
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