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TFZGTR18B

更新时间:2025-05-18 00:50:44
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TFZGTR18B 规格参数
  • 制造商
    ROHM Semiconductor
  • 齐纳电压
    17.7 V
  • 电压容差
    3 %
  • 齐纳电流
    10 mA
  • 功率耗散
    500 mW
  • 最大反向漏泄电流
    0.2 uA
  • 最大齐纳阻抗
    23 Ohms
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TUMD-2
  • 封装
    Reel
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