大小：241.04KB
厂家：TD
描述：Dated : 21/09/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC TIP32C PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for power switching and amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 100 V Collector Emitter Voltage -V CEO 100 V Emitter Base Voltage -V EBO 5 V Collector Current -I C 3 A Collector Current (Pulse) -I CP 5 A Base Current -I B 1 A Power Dissipation (T a = 25 O C) P tot 2 W Power Dissipation (T c = 25 O C) P tot 40 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T s - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at -V CE = 4 V, -I C = 1 A at -V CE = 4 V, -I C = 3 A h FE h FE 25 10 - 50 - - Collector Emitter Sustaining Voltage at -I C = 30 mA -V CEO(sus) 100 - V Collector Cutoff Current at -V CE = 100 V -I CES - 0.2 mA Collector Cutoff
标准包装：50
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大）：300µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：10 @ 3A，4V
功率 - 最大：2W
频率 - 转换：3MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：TIP32COS

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