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TK20C60W,S1VQ

更新时间:2025-04-26 12:13:36
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BL8503-33PSBHT7533ADM485JRZSN74HC374NSRLM358NDB1551N4742ATPS65250RHAR
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TK20C60W,S1VQ外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：DTMOSIV
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：155 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：48 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1680 pF @ 300 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：165W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：I2PAK
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
芯知识
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