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TK30E06N1,S1X

更新时间:2025-04-15 21:48:24
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  • 深圳市亿泰科技有限公司

  • TK30E06N1,S1X

    TK30E06N1,S1X

  • 21800

  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • MOSFET N CH 60V 30A TO220/23+

  • 现货库存，如实报货，价格优势，一站式配套服务

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TK30E06N1,S1X的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TK30E06N1,S1X外观图

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥7.47000管件
  • 系列：U-MOSVIII-H
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：43A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1050 pF @ 30 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：53W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220
  • 封装/外壳：TO-220-3
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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