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TK33S10N1Z,LQ

更新时间:2025-05-08 01:17:48
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TK33S10N1Z,LQ的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TK33S10N1Z,LQ外观图

  • 现有数量：1,750现货
  • 价格：1 : ￥12.32000剪切带（CT）2,000 : ￥5.64578卷带（TR）
  • 系列：U-MOSVIII-H
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.7 毫欧 @ 16.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2050 pF @ 10 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：DPAK+
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
芯知识
1.4万
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广东微尔科技有限公司
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