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TK39J60W,S1VQ

更新时间:2025-05-03 05:51:25
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MT41J128M8JP-15E:GMMBT3904MMBD914LT1DB207SMBR20100BAV70WTZMC2V4-GS08SS510C
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TK39J60W,S1VQ外观图

  • 现有数量：5现货
  • 价格：1 : ￥85.22000管件
  • 系列：DTMOSIV
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 19.4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.9mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：110 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4100 pF @ 300 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：270W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-3P（N）
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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