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TK55D10J1(Q)

更新时间:2025-04-15 22:04:04
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TK55D10J1(Q)外观图

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：55A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10.5 毫欧 @ 27A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5700pF @ 10V
  • 功率 - 最大：140W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220（W）
  • 包装：管件
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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