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TK6A80E,S4X

更新时间:2025-05-02 22:37:09
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BZX84C8V2TAS5706PAPR74HC08DAO4801AMMBZ5252BMBR10150CTPCEM9435ZTX751
TK6A80E,S4X的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TK6A80E,S4X外观图

  • 现有数量：15现货
  • 价格：1 : ￥15.03000管件
  • 系列：π-MOSVIII
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 欧姆 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 600μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1350 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220SIS
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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