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TK80A08K3(Q)

更新时间:2025-05-25 11:09:14
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TK80A08K3(Q) 规格参数
  • 制造商
    Toshiba
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    75 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    80 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.0045 Ohms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-220SIS
  • 下降时间
    33 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    40 W
  • 上升时间
    30 ns
  • 工厂包装数量
    500
芯知识
1.7万
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广东微尔科技有限公司
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