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TP0101TS

更新时间:2025-07-02 10:01:22
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  • 其它信息：

    电流参数：ID=-0.6A/IDM=-3A/IS=-0.6A
    电压参数：UDG=-20V/UGS=±8V
    功  率：PD=0.35
    其他参数：4.5V/0.042Ω,2.5V/0.69Ω
    极  性：P

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TP0101TS PDF下载
  • 大小：42.04KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：650 mOhms at 4.5 V
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-236-3
  • 下降时间：25 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1000 mW
  • 上升时间：25 ns
  • 工厂包装数量：1000
  • 典型关闭延迟时间：19 ns
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