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TPCM8002-H(TE12L,Q

更新时间:2025-04-10 16:50:49
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TPCM8002-H(TE12L,Q外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.2 毫欧 @ 15A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：34nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2846pF @ 10V
  • 功率 - 最大：30W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerWDFN
  • 供应商设备封装：2-4L1A
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：TPCM8002-HTE12LQTR
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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