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超低偏移电压:25μV(典型值),100μV(最大值);轨至轨输入/输出电压摆幅;操作电压:2.7~5.5V;高速:1.9MHz;在100pF时有45°相位界限;低消耗:在2.7V时0.8mA;非常大的信号电压增益:131dB;高电源电压抑制比:105dB;非常高的ESD保护5kV(HBM);闭锁抗扰;可用SOT23-5和SOIC-8微封装;温度范围:0~+85℃
引脚图: