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US6M2TR

更新时间:2025-05-22 11:42:09
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US6M2TR外观图

US6M2TR

ROHM Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6

  • 封装:6-SMD，扁平引线
US6M2TR 规格参数
  • 特色产品
    ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V，20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.5A，1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    240 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    2.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    80pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装
    TUMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
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