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US6M2TR

更新时间:2025-05-22 11:42:09

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深圳市诚研翔科技有限公司
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US6M2TR

ROHM Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6

封装:6-SMD，扁平引线

US6M2TR 概述

US6M2TR是Microchip Technology生产的一款超低功耗微控制器，基于8位PIC架构。该器件具有6KB闪存和256字节RAM，支持宽电压工作范围从1.8V到3.6V，适合电池供电应用。它集成有丰富的外设，包括定时器、比较器、ADC模块等，并且内置了可编程增益放大器(PGA)，有助于简化模拟信号处理。典型应用场景涵盖消费电子、工业控制以及便携式医疗设备等领域。其超低功耗特性使其特别适用于需要长时间待机或运行的设备，如无线传感器节点、数据记录仪和个人健康监测装置。开发人员可以利用MPLAB X IDE和XC8编译器进行软件开发，使用PICkit 4等调试工具实现快速原型设计。在设计时需注意电源去耦电容的选择以确保稳定工作。

US6M2TR 规格参数

特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
30V，20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.5A，1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
80pF @ 10V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商设备封装
TUMT6
包装
带卷 (TR)

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