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VME2000D

更新时间:2025-05-16 00:13:46

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VME2000D 概述

VME2000D是Vishay公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极 - 源极电压为4.5V时，最大导通电阻仅为30mΩ。其击穿电压可达200V，连续漏极电流最高为3.3A。该MOSFET适用于开关电源、适配器、直流 - 直流转换器等高效直流 - 直流转换应用中，能够提高系统效率并减少能量损耗，在需要高频率开关操作和低功耗的电路设计中有广泛应用。使用时要注意散热设计，避免过热损坏。

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