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VQ2001P-2

更新时间:2025-05-16 02:04:01
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VQ2001P-2 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    停产
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    4 个 P 通道
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    600mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    2 欧姆 @ 1A，12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    150pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    2W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    14-DIP
  • 供应商器件封装
    14-DIP
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